| 型号：SI4569DY-T1-GE3 | 类别：FET - 阵列 | 制造商：Vishay Siliconix |
| 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 描述：MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC | |
详细参数
| 类别 | FET - 阵列 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC |
| 系列 | TrenchFET® |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| FET型 | N 和 P 沟道 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 7.6A，7.9A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 27 毫欧 @ 6A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 2V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 32nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 855pF @ 20V |
| 功率_最大 | 3.1W，3.2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC N |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳德田科技有限公司 | 李小姐86-0755-83254070/18680328178 |
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